Установка для измерения параметров биполярных транзисторов в микрорежиме

Постоянное стремление к повышению экономичности и уменьшению массы и габаритов радиоэлектронной аппаратуры обусловливает необходимость дальнейших исследований параметров биполярных транзисторов (БТ) в микрорежиме. Серийно выпускаемые измерители параметров обеспечивают минимальный ток питания транзисторов 30 мкА. Существенное уменьшение тока питания без радикальной переделки этих приборов невозможно в силу специфики условий измерения в микрорежиме. При уменьшении тока питания транзистора наряду с возрастанием относительного влияния обратного тока коллекторного перехода происходит обратно пропорциональное увеличение входного и выходного сопротивлений транзистора и адекватное уменьшение переменных рабочих токов. Это так же интересно, как компьютерная вышивка.

Это обусловливает необходимость применения высококачественных изоляционных -материалов с большим из и малыми токами утечки, минимизации емкостей «монтажа для снижения паразитных емкостных утечек по переменному току, использования частотно- и фазоселективных методов измерения сигналов и др. Несерийные приборы и установки обеспечивают измерение лишь отдельных параметров в недостаточно широких пределах изменения тока, напряжения и температуры. Все это привело к необходимости создания специальной установки для измерения параметров БТ в «микрорежиме. Очевидно, что число параметров и влияющих факторов, описывающие поведение транзисторов, должно быть сведено до минимума и в то же время должно обеспечивать возможность оптимального расчета характеристик микромощных устройств и условий компенсации влияния температуры окружающей среды и нестабильности напряжения источников питания.