Современная планарная технология изготовления биполярных транзисторов

Современная планарная технология изготовления биполярных транзисторов (БТ) обусловливает возможность использования транзисторов при разных показателях и параметрах. Однако имеющиеся в литературе сведения относятся к одиночным экземплярам и не раскрывают возможностей применения в микрорежиме (МКР) совокупности серийно выпускаемых приборов. Кроме того, отсутствуют систематизированные сведения о некоторых важных, как гидромассажные ванны, параметрах серийных транзисторов в МКР, зависимости их от режима питания и температуры и о законах распределения. В предлагаемой работе сделана попытка определить наиболее пригодные для МКР типы серийных БТ, экспериментально исследованы зависимости их параметров от электрического и теплового режимов и оценены некоторые возможности усилителей в микрорежиме.

Для исследования и описания характеристик транзисторов и усилителей в микрорежиме в настоящей статье использовано семейство параметров, рекомендованное для номинального режима ГОСТ 15172-70, ГОСТ 18.604.0-74-18.604.12-77 для расчетов по постоянному току и параметров для расчета по переменному току. Уменьшение напряжения питания БТ не дает большого выигрыша ввиду очевидных ограничений, определяемых минимально 96 допустимыми величинами напряжений обратно- и прямосмещенных переходов, равными для номинального режима соответственно 75-100 мВ и 0,6-0,7 В для кремниевых и 75-100 мВ и 0,2-0,4 В для германиевых БТ. При снижении тока питания от 1 мА до 10 нА напряжение на прямосмещенном кремниевом переходе уменьшается примерно в 2 раза. Несмотря на возможность работы кремниевых БТ при нулевых и даже положительных смещениях коллекторного перехода, необходимость поддержания напряжения прямосмещенного эмиттерного перехода на уровне 0,3-0,7 В и достаточно большого выходного напряжения, обусловленного требованиями к помехозащищенности, ограничивает минимальное напряжение в микрорежиме на уровне 0,3 В.