Моделирование эквивалентной схемы мощного СВЧ транзистора с помощью ЭЦВМ

Рассмотрим алгоритм определения параметров эквивалентной схемы мощного СВЧ транзистора путем аппроксимации с заданной степенью точности аналитических зависимостей и экспериментальных кривых. В основу построения алгоритма положена следующая стратегия: по кривой ведется определение искомых параметров, а по кривой осуществляется дополнительная проверка правильности найденных значений параметров.
1. Ранжирование параметров эквивалентной схемы транзистора.
2. Определение интервалов варьирования параметров в соответствии с заданной степенью приближения аналитических зависимостей к экспериментальным кривым.
3. Проверка адекватности полученной математической модели. Ранжирование параметров эквивалентной схемы осуществляется по формуле. Для каждого параметра вычисляется невязка.

Для дальнейшего использования параметры располагаются в порядке убывания невязки, считая, что параметр, имеющий максимальную невязку, обладает максимальным влиянием. Определение допустимых интервалов варьирования параметров эквивалентной схемы производится методом деления первоначально заданных интервалов варьирования параметров пополам. Далее из всех остальных выбирается очередной параметр, обладающий максимальным влиянием в соответствии с ранжировкой.

Это интересно: в большинстве парков и дворов расположены детские спортивные комплексы или городки, как для малышей, так и для детей постарше. Детские игровые площадки никогда не перестанут пользоваться спросом, ведь постоянно обустраиваются новые дворы, детские сады и парки.