ЗАО Манометр Сервис

Разрыв валентной связи между атомами

Возникновение двух типов проводимости в полупроводнике объясняется обычно с точки зрения структуры кристаллической решетки полупроводника и тех изменений, которые вносят в нее упомянутые примеси. Однако следует иметь в виду, что все явления, о которых говорилось выше, имеют более сложные основания. В первую очередь, к ним относятся энергетические соотношения или уровни. С энергетической точки зрения разрыв валентной связи между атомами означает, что электрон, получив извне порцию - квант энергии, перешел из своего обычного состояния, т. е. из заполненной зоны, на более высокий энергетический уровень: оторвавшись от своего атома, электрон становится свободным и может передвигаться куда угодно, или, говоря иначе, получает возможность участвовать в процессе создания электропроводности. Однако, вследствие ухода электрона из заполненной зоны, в последней, как и следовало ожидать, появились дырки - незанятые энергетические уровни, на которые могут теперь попасть электроны, по своей энергии близкие к ранее ушедшим. Такие перемещения будут происходить вследствие тепловою движения электронов. Для большего приближения описанной выше картины физических процессов в полупроводниках к истинной рассмотрим теперь и с энергетической точки зрения, каким образом примеси влияют на явление электропроводности в полупроводнике.

Это интересно: всем известно, что на производстве используется часто довольно специфическое оборудование, а значит, когда оно выходит из строя, необходимо где-то найти детали для замены износившихся. ООО ПКО РосТехСервис - запчасти к промоборудованию поставляют вот уже многие годы и заслужило доверие потребителей высоким качеством изделий.


 НОВОСТИ

ОАО "Профининк Сервис" постоянно расширяет ассортимент выпускаемой продукции. На этот раз мы приступили к выпуску нового типа датчиков давления с выходным сигналом (0-7) мА.

Наша компания произвела плановое обновление оборудования, благодаря чему сроки изготовления всей нашей продукции сокращены на 12%

Наши инженеры усовершенствовали конструкцию микропроцессорных датчиков давления, теперь все датчики будут выпускаться в новом противоударном корпусе.
Москва, ул.Аксаково, дом 11.        
Тел/Факс: (495) 913-17-23    E-mail:Service@profininc.ru

Резонансные усилители | Электрические сигналы | Транзисторы | Резисторы | Телесистемы | Разное
Опросы | Регистрация | Забыли пароль? | Версия для КПК | EN версия сайта | Карта сайта