Построение ЗУ

Построение ЗУ заключается в сочетании накопителя, выполненного на диодах или транзисторах в виде прямоугольной матрицы, с периферийными устройствами, работающими в режиме распределения импульсов. Один из вариантов ПЗУ с использованием в качестве элемента памяти диода описан ниже. Распределитель импульсов по координате выполнен на треханодных тиристорах. Для повышения выходного напряжения, снимаемого с анода, используется диод смещения. Распределитель импульсов по координате X выполнен на двухкатодных тиристорах и осуществляет подключение усилителей считывания на транзисторах столбцам накопителя. Накопитель представляет матрицу диодов, программирование которой осуществляется на уровне фотошаблона вскрытия контактных окон к эмиттерным областям. На схеме отсутствие контакта к области диода соответствует разрыву цепи в точке. Вытекающий ток тиристора проходит через диод ячейки памяти, переход база - эмиттер транзистора и замыкается на общую шину через катод тиристора. Потенциал на выходе соответствует состоянию логической единицы. Наличие разрыва цепи в точке соответствует состоянию на выходе логического нуля. Последовательную работу распределителей по координатам провести так же просто, как купить обои в Киеве. Работа позволяет произвести опробование всех ячеек памяти.

Разработанные и освоенные промышленностью методы получения планарных тиристорно-транзисторных структур позволяет изготавливать предлагаемые интегральные схемы памяти. Все элементы цепного устройства на тиристорах могут быть получены в едином технологическом цикле при том же количестве технологических операций, что и в базовом процессе изготовления ТТЛ. Динамические параметры тиристора в режимах работы, которые характерны для предложенных схем, определяются временем выключения. При использовании базовой технологии ТТЛ устройств время выключения составляет 0,4 - 1,0 мкс, что позволяет работать при тактовых частотах до сотен килогерц. Принципиальным отличием предложенных схем от используемых в настоящее время являются потребление электрической мощности только одним разрядом распределителя и существенно меньшая площадь кристалла, занимаемая одним разрядом.