Анализ работоспособности

После того, как было проведено измерение параметров транзисторов, пригодных для работы в микрорежиме, измерялось значительно большее количество параметров, чем это рекомендовано вторым этапом анализа работоспособности, но на меньшем количестве типов транзисторов. Исследовано около 400 экземпляров транзисторов различных типов, пригодных для МКР. Исследования проводились на специализированной установке, обеспечивающей измерение малосигнальных параметров БТ в схеме с общей базой на частоте 20 Гц с частотной селекцией сигналов для подавления помех. Было подтверждено теоретическое предположение о появлении даже на такой низкой частоте реактивных составляющих у параметров при 100 нА и при 1 мкА, соизмеримых с активными. Важное, как саморезы для профнастила , измерение активных составляющих велось с помощью фазочувствительных приборов.

Температурные зависимости получены с помощью полупроводникового термостата, вмонтированного непосредственно в установку. Паразитные емкости монтажа были сведены к минимуму, уменьшено влияние электропроводности изоляционных материалов на результаты измерения, шунтирование измеряемых напряжений на электродах транзисторов входным сопротивлением приборов было минимизировано применением истоковых повторителей 3 ГОм. Обработка массива полученных экспериментальных данных показала идентичность зависимостей параметров от режима питания и температуры, позволившую обобщить результаты для всех исследованных типов транзисторов и рекомендовать их в качестве типовых для остальных.