Электронно-дырочный переход (э-д переход)

­В целях сокращения электронно-дырочный переход принято условно называть э-д переходом. Этим сокращенным названием в некоторых случаях будем пользоваться и мы. Искусственным путем электронно-дырочные переходы в едином кристалле полупроводника могут быть созданы путем введения в него примесей и осуществления специальной термической обработки, либо в результате разделения примесей при затвердевании во время кристализации, или же в результате диффузии примесей разного типа (донаторов и акцепторов) с двух сторон полупроводниковой пластинки. Один из наиболее распространенных методов получения э-д перехода заключается в сплавлении небольшого кусочка индия, являющееся акцепторной примесью, с кристаллом германия, имеющего электронную проводимость. Процесс такого сплавления осуществляют следующим образом.

При высокой температуре индий расплавляют и смачивают им поверхность германия, благодаря чему расплавленный индий проникает (диффундирует) в германий на некоторую глубину. В свою очередь часть германия растворяется в капле индия. После охлаждения между индием и толщей кристалла германия, обладающего электронной проводимостью, образуется тонкая область, имеющая высокую дырочную проводимость. При этом индий выполняет роль контакта с областью, имеющей дырочную проводимость. Попытаемся теперь рассмотреть, какие именно физические процессы протекают в э-д переходе при отсутствии внешнего электрического поля.

Полезный совет: если вы еще не решили, где провести отпуск, то обратите внимание на живописную гостеприимную Хорватию, расположенную вдоль Адриатики. Многочисленные отели Хорватии отличаются высоким классом обслуживания, комфортом и доступностью. ­