Электронная и дырочная область полупроводника
При движении слева направо преодолеть потенциальный барьер на границе э-д областей могут только те немногие электроны, уровень энергии которых достаточно велик, т. е. выше уровня энергии этого барьера. При движении же электрона справа налево (из дырочной области в электронную) электрон как бы свободно «скатывается» с барьера. Следует заметить, что в этих условиях число электронов, проникающих в дырочную область (поток электронов слева направо), зависит от «высоты» (энергии) потенциального барьера, в то время как поток электронов справа налево не зависит от высоты потенциального барьера. Если к полупроводнику не приложено напряжение извне, то в нем нет и электрического тока. А это значит, что в нормальном состоянии полупроводника потоки электронов, движущихся справа налево и слева, направо, равны. Такое равенство потоков электронов, однажды установившееся изнутри полупроводника, поддерживается разностью потенциалов, возникшей на границе электронной и дырочной его частей, вследствие чего она носит название контактной разности потенциалов. Аналогичное явление наблюдается и при потоке дырок, которые, вследствие самодиффузии, перемещаются справа налево - из дырочной области в электронную. Диффузионный поток дырок в одну сторону уравновешивается встречным потоком дырок, движущихся вследствие контактной разности потенциалов.
Знаете ли вы, что при строительстве или ремонте большое внимание следует уделить электропроводке, розеткам, выключателям, рубильникам и остальным элементам электрики. Огромный выбор электротехнической продукции Вы можете найти на сайте
http://www.abb-catalog.ru - это современные и стильные дизайнерские электротехнические изделия, которые отличаются высоким качеством и доступными ценами.
